据国外媒体报道，留学美国伦斯勒理工学院的博士生Weixiao Huang发明了一种新的晶体管技术，有望取代高功率和高温电导的硅晶体管。

　　Huang出生中国农村，2001年毕业于北京大学，2003年获伦斯勒理工学院硕士学位，这两天将拿到伦斯勒理工学院博士学位。

　　基于镓的材料具有某些极其出色的电气特性，远远优于硅，但是很难制造出晶体管，而Huang开发出了一种使用镓氮化物（GaN）混合材料的新晶体管，可以大大降低功耗，改善电子系统的效率，也能够工作在高温、大功率乃至产生辐射的严苛环境下。